| 发明名称 | 设有阻挡/间隔层的III族氮化物基高电子迁移率晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种高频性能得以提高的III族氮化物基础高电子迁移率晶体管(HEMT)(10)。HEMT(10)的一实施例包括一氮化镓缓冲层(26)，而在氮化镓缓冲层(26)上具有一Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－y</SUB>N(y＝1或y≈1)层(28)。一Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N(0≤x≤0.5)阻挡层(30)则在Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－y</SUB>N层(28)上，与氮化镓缓冲层(26)相对，Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－y</SUB>N层(28)的铝含量比Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N阻挡层(30)高。一Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－y</SUB>N层(28)最佳是y＝1或y≈1和一Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N阻挡层(30)最佳是(0≤x≤0.5)。一2DEG(38)在氮化镓缓冲层(26)和Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－y</SUB>N层(28)之间的界面形成。各自的源极、漏极和栅极接点(32、34、36)在Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N层(30)上形成。HEMT(10)也可包括基片(22)，其靠近缓冲层(26)并与Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－y</SUB>N层(28)相对和成核层(24)，其包括在氮化镓缓冲层(26)和基片(22)之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1596477A | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
| 申请号 | CN02814095.8 | 申请日期 | 2002.04.11 |
| 申请人 | 美商克立股份有限公司;美国加利福尼亚大学董事会 | 发明人 | I·P·斯莫奇克瓦;W·瓦鲁基维茨;P·查瓦卡尔;吴益逢;S·克勒;U·米施拉 |
| 分类号 | H01L29/778 | 主分类号 | H01L29/778 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 李家麟 |
| 主权项 | 1.一种高电子迁移率晶体管(HEMT)(20)，其包括：一GaN缓冲层(26)；一AlyGa1-yN层(28)，其在所述GaN缓冲层(26)上；一AlxGa1-xN阻挡层(30)，其在所述AlyGa1-yN层(28)上，并与所述的GaN缓冲层(26)相对，所述AlyGa1-yN层(28)的Al含量比所述AlxGa1-xN阻挡层(30)的铝含量高；和一2DEG(38)，其在所述GaN缓冲层(26)和所述AlyGa1-yN层(28)之间的界面上。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳州 | ||