倒置化学气相沉积(CVD)的装置

摘要

一种半导体制作反应器(12)，它包括一安装在反应室顶部且可旋转的基座(14)。一或多个芯片(16)安装在基座一表面，基座旋转使芯片在室内旋转。一加热器(18)加热基座，而一入气口使半导体生长气体进入反应室，以在所述芯片上沉积半导体物质。一出气口(40)使生长气体离开所述反应室。入口位于或低于所述芯片水平面，而出口位于或高于所述芯片水平面。

主权项

1.一种半导体制作反应器，该反应器包括：一装在一反应室顶部的可旋转基座；一或多个装在所述基座表面的芯片，旋转所述基座可使所述芯片在所述反应室内旋转；一加热所述基座的加热器；一反应室入气口，所述入气口可使半导体生长气体进入所述反应室，以在所述芯片上沉积半导体物质，所述入口位于或低于所述芯片的水平面；及一反应室出气口，所述出气口位于或高于所述芯片的水平面。