发明名称 |
溶液淀积硫族化物膜 |
摘要 |
淀积金属硫族化物膜的一种方法,包括步骤:将一种离析的金属硫族化物的基前体与一种其中含有一种增溶剂的溶剂相接触,制得一种它们的配合物的溶液;将这种配合物溶液应用到衬底上在衬底上制得这种溶液的涂层;将溶剂从这种涂层中去除在衬底上制得配合物膜;然后将这种配合物膜退火使该配合物分解,在衬底上制得金属硫族化物膜。还提供一种制备一种离析的金属硫族化物基前体以及用这种金属硫族化物作沟道层的薄膜场效应晶体管的方法。提供可供选择的用来从该金属硫族化物基前体的溶液中淀积半导体硫族化物膜的方法,这样制备:(1)将至少一种金属硫族化物与一种肼化合物相接触,或者(2)将至少一种金属硫族化物先与一种胺化合物的盐相接触,形成一种铵基前体,然后再将其与一种肼化合物相接触。 |
申请公布号 |
CN1595677A |
申请公布日期 |
2005.03.16 |
申请号 |
CN200410063555.7 |
申请日期 |
2004.07.09 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
DB·米特兹;M·科普 |
分类号 |
H01L51/40;H01L51/20;H01L51/30;H01L51/00 |
主分类号 |
H01L51/40 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
蔡胜有 |
主权项 |
1.一种淀积金属硫族化物膜的方法,包括步骤:将一种离析的金属硫族化物的基前体与一种其中含有增溶剂的溶剂相接触,制得一种它们的配合物的溶液;将这种配合物溶液应用到衬底上在衬底上制得这种溶液的涂层;将溶剂从这种涂层中去除在衬底上制得配合物膜;然后将这种配合物膜退火,在衬底上制得金属硫族化物膜。 |
地址 |
美国纽约 |