发明名称 | 硅基微机械光调制器芯片的制备方法 | ||
摘要 | 一种硅基微机械光调制器芯片的制备方法,包括硅片准备和磷扩散;制备牺牲层二氧化硅薄膜;制备氮化硅薄膜;蒸铝膜;负胶光刻并腐蚀铝膜;反应离子刻蚀氮化硅薄膜;去除铝膜;腐蚀牺牲层二氧化硅薄膜;正胶光刻;制备复合金属膜;完成电极制备;负胶光刻;腐蚀牺牲层二氧化硅得到悬浮腔;反应离子去胶十四个工艺步骤。有工艺才成熟,成本低等优点。本发明的方法制备的硅基微机械光调制器芯片是光纤到户通讯系统中的关键器件。 | ||
申请公布号 | CN1594066A | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
申请号 | CN200410025789.2 | 申请日期 | 2004.07.06 |
申请人 | 华东师范大学 | 发明人 | 茅惠兵;王基庆;赖宗声;忻佩胜;王力 |
分类号 | B81C1/00 | 主分类号 | B81C1/00 |
代理机构 | 上海德昭专利事务所 | 代理人 | 程宗德;石昭 |
主权项 | 1.一种硅基微机械光调制器芯片的制备方法,其特征在于,包括十四个工艺步骤:硅片准备和磷扩散;制备牺牲层二氧化硅薄膜;制备氮化硅薄膜;蒸铝膜;负胶光刻并腐蚀铝膜;反应离子刻蚀氮化硅薄膜;去除铝膜;腐蚀牺牲层二氧化硅薄膜;正胶光刻;制备复合金属膜;完成电极制备;负胶光刻;腐蚀二氧化硅牺牲层得到悬浮腔;反应离子去胶。 | ||
地址 | 200062上海市中山北路3663号 |