| 发明名称 | 磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 | ||
| 摘要 | 一种磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：1)选择Si单晶为衬底材料，选择碳化硅为靶材；2)将Si单晶衬底材料送入磁控溅射仪；3)加温，生长碳化硅薄膜；4)退火；5)完成制备碳化硅薄膜工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1594648A | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
| 申请号 | CN03158500.0 | 申请日期 | 2003.09.10 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈诺夫;杨霏;尹志岗;柴春林;吴金良 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/06 | 主分类号 | C23C14/35 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：1)选择Si单晶为衬底材料，选择碳化硅为靶材；2)将Si单晶衬底材料送入磁控溅射仪；3)加温，生长碳化硅薄膜；4)退火；5)完成制备碳化硅薄膜工艺。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||