发明名称 |
晶体的可视化小角度倾斜温梯冷凝生长装置及其生长方法 |
摘要 |
晶体的可视化小角度倾斜温梯冷凝生长装置及其生长方法,涉及一种晶体材料的生长装置及其生长方法。现有的生长装置存在镀金不方便、镀层不均匀、晶体生长应力大等弊端。本发明的生长装置与地面呈倾斜设置,倾斜后的装置中,高温热电阻(5-2)的水平高度高于低温热电阻(5-1)的水平高度。本发明的生长方法为:将生长船(3)置于石英管(4)中,密封后置于生长装置内,升高炉温,保持温度1~2小时;然后降低炉体温度,降温速率为0.05~0.1K/hr,当生长船(3)中整个晶体生成时,降温速率提高到2~5K/hr直至室温。本发明装置的晶体可以定向生长,同时,晶体向下生长比水平生长,更符合晶体生长规律,晶体质量更好;本发明方法可以避免晶体开裂,利于推广应用。 |
申请公布号 |
CN1594672A |
申请公布日期 |
2005.03.16 |
申请号 |
CN200410043669.5 |
申请日期 |
2004.06.30 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
杨春晖;王锐 |
分类号 |
C30B11/00 |
主分类号 |
C30B11/00 |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 |
代理人 |
张伟 |
主权项 |
1、一种晶体的可视化小角度倾斜温梯冷凝生长装置,它包括三层石英管(1)、安装在第二层石英管(1-2)和第三层石英管(1-3)之间的热电耦(2),安装在第三层石英管(1-3)内的生长船(3),安装在第二层石英管(1-2)内的低温热电阻(5-1)和高温热电阻(5-2),其特征在于该生长装置与地面呈倾斜设置,倾斜后的装置中,高温热电阻(5-2)的水平高度高于低温热电阻(5-1)的水平高度。 |
地址 |
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |