| 主权项 |
1.一种表面改质方法,藉着使用电浆来将要被处理 的基板的表面改质,该表面改质方法包含以下步骤 : 将基板的温度从200℃调整至400℃; 将包含氮原子的气体或包含惰性气体及包含氮原 子的气体的混合物气体引入至一电浆处理容室内; 将电浆处理容室中的压力调整至13.3Pa(帕)以上; 在电浆处理容室中产生电浆;及 将电浆中等于或小于10eV(电子伏特)的离子注射至 要被处理的基板内。 2.如申请专利范围第1项所述的表面改质方法,其中 该温度调整步骤将基板的温度从200℃调整至300℃ 。 3.如申请专利范围第1项所述的表面改质方法,其中 该引入步骤引入N2,NH3,或N2H4成为包含氮原子的气 体。 4.如申请专利范围第1项所述的表面改质方法,其中 该引入步骤引入He,Ne,Ar,Kr,及Xe成为惰性气体。 5.如申请专利范围第1项所述的表面改质方法,其中 该压力调整步骤将压力调整在26.6Pa与39.9Pa之间。 6.如申请专利范围第1项所述的表面改质方法,其中 该注射步骤注射具有等于或小于7eV的离子能量平 均値的离子。 7.如申请专利范围第1项所述的表面改质方法,其中 该产生步骤产生表面波电浆,表面波干涉电浆,或 RLSA电浆成为该电浆。 8.如申请专利范围第1项所述的表面改质方法,其中 要被处理的基板的表面为MOSFET闸极绝缘膜的表面 。 图式简单说明: 图1为成为根据本发明的一实施例的微波表面波干 涉电浆处理设备的剖面立体图。 图2显示在形成在要被处理的基板上的矽氧化物膜 中于深度方向的氮浓度分布。 图3显示入射在要被处理的基板上的离子能量分布 与压力的相依性。 图4显示压力与氮浓度分布中峰値深度之间的相依 性。 图5显示取决于基板温度的XPS测量所得的Nls峰値的 改变。 图6为图1所示的微波表面波干涉电浆处理设备的 变化的剖面立体图。 图7为可用于图1所示的微波表面波干涉电浆处理 设备的阶台的升降机构的方块图。 图8为可用于图1所示的微波表面波干涉电浆处理 设备的气体混合物比控制机构的方块图。 |
