| 主权项 |
1.一种光触媒组成物,其系含(A)改质光触媒粒子与( B)黏合剂成分之光触媒组成物,其特征为成分(A)与 成分(B)之重量比(A)/(B)为0.1/99.9~99/1,该改质光触媒 粒子(A)系使用至少一种具有选自式(1)所示之三烃 基矽烷单位、式(2)所示之单羟基二烃基矽烷单位 及式(3)所示之二羟基烃基矽烷单位所成组群之至 少一种构造单位之化合物作为改质剂化合物(b),将 光触媒粒子(a)加以改质处理而得者, 该黏合剂成分(B)系包括下列式(4)所示含有苯基之 聚矽氧(BP),而该含有苯基之聚矽氧(BP)视需要可另 含有烷基者: R3Si- (1) (式中,R各自独立表示直链状或岐链状之碳数1至30 之烷基、碳数5至20之环烷基、直链状或岐链状之 碳数1至30之氟烷基、直链状或岐链状之碳数2至30 之烯基、苯基、碳数1至20之烷氧基或羟基), -(R2SiO)- (2) (式中,R系如通式(1)所定义者), (式中,R系如通式(1)所定义者), R1pR2qXrSiO(4-p-q-r)/2 (4) (式中, 各R1表示苯基,R2各自独立表示直链状或岐链状之 碳数1至30之烷基、碳数5至20之环烷基或直链状或 岐链状之碳数2至30之烯基; X各自独立表示氢原子、羟基、碳数1至20之烷氧基 、碳数1至20之醯氧基、胺氧基、碳数1至20之基 或卤原子;且 p、q及r为:0<p<4,0≦q<4,0≦r<4及0<(p+q+r)<4,且0.05≦p/(p+ q)≦1)。 2.如申请专利范围第1项之光触媒组成物,其中式(1) 至(3)中,R系各自独立表示直链状或岐链状之碳数1 至30之烷基、碳数5至20之环烷基、直链状或岐链 状之碳数1至30之氟烷基、直链状或岐链状之碳数2 至30之烯基或碳数1至20之烷氧基者。 3.如申请专利范围第1或2项之光触媒组成物,其中 该含有苯基之聚矽氧(BP)系下列式(5)所示不含烷基 之含苯基聚矽氧(BP1)者: R1sXtSiO(4-s-t)/2 (5) (式中,R1表示苯基; X各自独立表示氢原子、羟基、碳数1至20之烷氧基 、碳数1至20之醯氧基、胺氧基、碳数1至20之基 或卤原子;且 s及t为:0<s<4,0≦t<4,而0<(s+t)<40。 4.如申请专利范围第1或2项之光触媒组成物,其中 该黏合剂成分(B)系另包含下列式(6)所示含有烷基 之聚矽氧(BA)者: R2uXvSiO(4-u-v)/2 (6) (式中, R2各自独立表示直链状或岐链状之碳数1至30之烷 基、碳数5至20之环烷基或直链状或岐链状之碳数2 至30之烯基; X各自独立表示氢原子、羟基、碳数1至20之烷氧基 、碳数1至20之醯氧基、胺氧基、碳数1至20之基 或卤原子;且 u及v为:0<u<4,0≦v<4,且0<(u+v)<4)。 5.如申请专利范围第1或2项之光触媒组成物,其中 该黏合剂成分(B)系包括式(5)所示不含烷基之含苯 基聚矽氧(BP1)与式(6)所示含烷基之聚矽氧(BA)者: R1sXtSiO(4-s-t)/2 (5) (式中, 各R1表示苯基; X各自独立表示氢原子、羟基、碳数1至20之烷氧基 、碳数1至20之醯氧基、胺氧基、碳数1至20之基 或卤原子;且 s及t为:0<s<4,0≦t<4,且0<(s+t)<4); R2uXvSiO(4-u-v)/2 (6) (式中, R2各自独立表示直链状或岐链状之碳数1至30之烷 基、碳数5至20之环烷基或直链状或岐链状之碳数2 至30之烯基; X各自独立表示氢原子、羟基、碳数1至20之烷氧基 、碳数1至20之醯氧基、胺氧基、碳数1至20之基 或卤原子;且 u及v为:0<u<4,0≦v<4,而0<(u+v)<4)。 6.如申请专利范围第4项之光触媒组成物,其中该含 烷基之聚矽氧(BA)系具有式(7)所示单羟基二烃基矽 烷单位(D)及式(8)所示二氧有机矽烷单位(T)者: -(R22SiO)- (7) (式中,R2各自独立表示直链状或岐链状之碳数1至30 之烷基、碳数5至20之环烷基或直链状或岐链状之 碳数2至30之烯基); (式中,R2系如同式(7)所定义者)。 7.如申请专利范围第3项之光触媒组成物,其中该含 苯基之聚矽氧(BPl)之重量平均分子量,由使用标准 聚苯乙烯所得之检量线以胶体过滤层析法求得之 测定値为500至10,000者。 8.如申请专利范围第4项之光触媒组成物,其中该含 烷基之聚矽氧(BA)之重量平均分子量,由使用标准 聚苯乙烯所得之检量线以胶体过滤层析法求得之 测定値为500至10,000者。 9.如申请专利范围第1或2项之光触媒组成物,其中 该改质光触媒粒子(A)之数平均粒子径为400nm以下 者。 10.如申请专利范围第1或2项之光触媒组成物,其中 该光触媒粒子(a)为氧化钛粒子者。 11.如申请专利范围第1或2项之光触媒组成物,其中 该改质剂化合物(b)系式(9)所示之含Si-H基之矽化合 物(b1)者: HxRYSiO(4-x-y)/2 (9) (式中, R各自独立表示直链状或岐链状之碳数1至30之烷基 、碳数5至20之环烷基、直链状或岐链状之碳数1至 30之氟烷基、直链状或岐链状之碳数2至30之烯基 、苯基、碳数1至20之烷氧基或羟基; x及y为:0<x<4,0<y<4,且(x+y)≦4)。 12.如申请专利范围第11项之光触媒组成物,其中该 含Si-H基之矽化合物系包含至少一种选自式(10)所 示之含Si-H基之矽化合物、式(11)所示之含两末端Si -H基之矽化合物、式(12)所示之H聚矽氧所成组群之 化合物者: (式中,R3各自独立表示直链状或岐链状之碳数1至30 之烷基、直链状或岐链状之碳数2至30之烯基、碳 数5至20之环烷基、直链状或岐链状之碳数1至30之 氟烷基、苯基或式(13)所示之矽烷氧基: -O-(R42SiO)m-SiR43 (13) (式中,R4各自独立表示直链状或岐链状之碳数1至30 之烷基、碳数5至20之环烷基、直链状或岐链状之 碳数1至30之氟烷基、直链状或岐链状之碳数2至30 之烯基、苯基,又,m为整数,0≦m≦1000)); H-(R32SiO)n-SiR32-H (11) (式中,R3系如同式(10)所定义,n为整数,0≦n≦1000); (R3HSiO)a(R32SiO)b(R33HSiO1/2)c (12) (式中, R3系如同式(10)所定义, a为1以上之整数,b为0以上之整数,(a+b)≦10000,且c为0 或2,但是(a+b)为2以上之整数,且c=0时,式(12)之该H聚 矽氧为环状聚矽氧,c=2时,式(12)之该H聚矽氧为链状 聚矽氧)。 13.如申请专利范围第1或2项之光触媒组成物,系另 含树脂者。 14.如申请专利范围第1或2项之光触媒组成物,系覆 膜者。 15.如申请专利范围第14项之光触媒组成物,其中改 质光触媒粒子(A)之分布系具有各向异性,且改质光 触媒粒子(A)之浓度系由该覆膜之一面往另一面升 高者。 16.如申请专利范围第1或2项之光触媒组成物,系成 形体者。 17.如申请专利范围第16项之光触媒组成物,其中改 质光触媒粒子(A)之分布系各向异性,且改质光触媒 粒子(A)之浓度系由该成形体之内部往表面升高者 。 18.如申请专利范围第4项之光触媒组成物,该含苯 基之聚矽氧(BP)与该含烷基之聚矽氧(BA)系具有微 相分离构造之覆膜者。 19.如申请专利范围第18项之光触媒组成物,其中改 质光触媒粒子(A)之分布系具有各向异性,且改质光 触媒粒子(A)之浓度系由该覆膜之一面往另一面升 高者。 20.如申请专利范围第4项之光触媒组成物,系为该 含苯基之聚矽氧(BP)与该含烷基之聚矽氧(BA)具有 微相分离构造之成形体者。 21.如申请专利范围第20项之光触媒组成物,系改质 光触媒粒子(A)之分布具有各向异性,且改质光触媒 粒子(A)之浓度由该成形体之内部往表面升高者。 22.一种机能性复合体,系于基材上形成包含申请专 利范围第1或2项之光触媒组成物之覆膜而得者。 23.如申请专利范围第22项之机能性复合体,其中该 覆膜为改质光触媒粒子(A)之分布具有各向异性,且 改质光触媒粒子(A)之浓度系由该覆膜与基材之接 触面往另一曝露面升高者。 24.一种机能性复合体,系于基材上形成覆膜而得者 ,其特征为该覆膜含有申请专利范围第4项之光触 媒组成物,且该含苯基之聚矽氧(BP)与该含烷基之 聚矽氧(BA)具有微相分离构造者。 25.如申请专利范围第24项之机能性复合体,其中该 覆膜为改质光触媒粒子(A)之分布具有各向异性,且 改质光触媒粒子(A)之浓度系由该覆膜与基材之接 触面往另一曝露面升高者。 图式简单说明: 第1图系示以湿式粒度分析计测定改质处理前之TKS -251(市售氧化钛有机溶胶)之粒径分布图。 第2图系示以湿式粒度分析计测定实施例1将上述 TKS-251施与改质处理而得之改质光触媒有机溶胶(A- 1)之粒径分布图。 第3(a)图系示具有实施例1所得含光触媒涂膜之试 验板(D-1)之剖面之TEM照片。 第3(b)图系第3(a)图之图解说明。 第4(a)图系示具有实施例2所得含有光触媒涂膜之 环氧树脂(D-2)之剖面之TEM照片。 第4(b)图系第4(a)图之图解说明。 第5(a)图系第4(a)图之TEM照片之部分扩大图。 第5(b)图系第5(a)图之图解说明。 第6(a)图系示具有比较例1所得具有含光触媒涂膜 之环氧树脂(D-3)之剖面之TEM照片。 第6(b)图系第6(a)图之图解说明。 |
