| 主权项 |
1.一种蚀穿具不同深宽比(aspect ratio)之孔洞的方法 ,其包含有: 提供一基底; 于该基底之一下表面形成一蚀刻停止层; 于该基底之一上表面形成一遮罩图案,以于该基底 之该上表面定义至少一第一孔洞预定区域与至少 一第二孔洞预定区域,且该遮罩图案另包含有复数 个牺牲块图案分别位于该第一孔洞预定区域与该 第二孔洞预定区域上; 进行一蚀刻制程,蚀刻未被该遮罩图案遮蔽之该基 底直至该蚀刻停止层;以及 移除该蚀刻停止层,并一并移除该等牺牲块图案与 该等牺牲块图案遮蔽之该基底。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一孔 洞预定区域之面积不等于该第二孔洞预定区域之 面积。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等牺牲 块图案系用来使该第一孔洞预定区域与该第二孔 洞预定区域具有相同的蚀刻条件。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该等牺牲 块图案使该第一孔洞预定区域与该第二孔洞预定 区域于进行该蚀刻制程时具有相同之线宽。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等牺牲 块图案的大小、分布、配置密度的调整系依据该 遮罩图案密集度以及该蚀刻制程的参数。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,另包含有一移 除该遮罩图案之步骤。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该遮罩图 案另于该基底之该上表面定义出至少一第三孔洞 预定区域,且该第三孔洞预定区域上未包含有任何 牺牲块图案。 8.一种蚀刻具不同深宽比(aspect ratio)之孔洞的方法 ,其包含有: 提供一基底,该基底之一上表面包含有至少一第一 孔洞预定区域与至少一第二孔洞预定区域; 于该基底之该上表面形成一遮罩图案,该遮罩图案 曝露出该第一孔洞预定区域与该第二孔洞预定区 域,且该遮罩图案另包含有复数个牺牲块图案位于 该第一孔洞预定区域与该第二孔洞预定区域上; 进行一蚀刻制程,利用该遮罩图案作为一遮罩以蚀 刻未被该遮罩图案遮蔽之该基底;以及 移除该等牺牲块与被该等牺牲块遮蔽之该基底。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第一孔 洞预定区域之面积大于该第二孔洞预定区域之面 积。 10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该等牺 牲块图案使该第一孔洞预定区域与该第二孔洞预 定区域具有相同的蚀刻条件。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该等牺 牲块图案使该第一孔洞预定区域与该第二孔洞预 定区域于进行该蚀刻制程时具有相同之线宽。 12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该等牺 牲块图案的大小、分布、配置密度的调整系依据 该遮罩图案密集度以及该蚀刻制程的参数。 13.如申请专利范围第8项所述之方法,于进行该蚀 刻制程之前另包含有于该基底之一下表面形成一 蚀刻停止层。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该蚀刻 制程系蚀穿该基底并停止于该蚀刻停止层。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该等牺 牲块图案与被该等牺牲块图案遮蔽之该基底系于 移除该蚀刻停止层时一并被移除。 16.如申请专利范围第8项所述之方法,另包含有一 移除该遮罩图案之步骤。 17.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该基底 之该上表面包含有至少一第三孔洞预定区域,且该 第三孔洞预定区域上未包含有任何牺牲块图案。 图式简单说明: 第1图至第4图为习知蚀刻具有不同深宽比之孔洞 的方法示意图。 第5图至第8图为本发明之一较佳实施例蚀刻具有 不同深宽比之孔洞的方法示意图。 第9图与第10图为本发明之另一较佳实施例蚀刻具 有不同深宽比之孔洞的方法示意图。 |
