发明名称 汽化炉之结构改良
摘要 本创作揭露一种汽化炉之结构改良,其包含一开口尺寸较底部尺寸小而呈现上窄下宽之炉体,另搭配一位于炉体外周围之加热系统,当对固态离子源来进行加热汽化时,随着加温过程固态离子源数量不断的减少,其固/气界面之表面积将随着炉体的底部具较大之尺寸,而有效的弥补固态离子数量减少,所导致离子植入机获得的离子总量降低之情况。
申请公布号 TWM258992 申请公布日期 2005.03.11
申请号 TW093205442 申请日期 2004.04.09
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION 中国 发明人 黄振聪;江瑞星
分类号 C23C14/00 主分类号 C23C14/00
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项 1.一种汽化炉之结构改良,其包括有:一炉体;以及一位于炉体外周缘的加热系统;其特征在于:该炉体之开口尺寸较炉体之底部尺寸小。2.如申请专利范围第1项所述之汽化炉之结构改良,其中该炉体的结构为圆锥状。3.如申请专利范围第1项所述之汽化炉之结构改良,其中该炉体的结构为角锥状。4.如申请专利范围第1项所述之汽化炉之结构改良,其中该加热系统为电阻式加热系统。图式简单说明:第一图与第二图系习用汽化炉实施例示意图。第三图系本创作示意图。第四图与第五图系本创作之汽化炉实施例之示意图。
地址 中国