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发明名称 Capacitor of semiconductor memory device having composite AI2O2/HfO2 dielectric layer and manufacturing method thereof
摘要
申请公布号 KR100475116(B1) 申请公布日期 2005.03.11
申请号 KR20020069997 申请日期 2002.11.12
申请人 发明人
分类号 H01L27/04;(IPC1-7):H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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