| 发明名称 | 铁电晶体管 | ||
| 摘要 | 在一个在半导体衬底(1)中具有两个源/漏极区(13)和一个位于其间的沟道区的铁电晶体管中，在沟道区的表面上设有一个含有Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>的第一介电中间层(14)，在第一介电中间层(14)的上方设置一个铁电层(15)和一个栅极(16)。通过在第一介电中间层中使用Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>，阻塞了从沟道区到第一介电中间层(14)的补偿电荷隧道并且由此延长了数据保存时间。 | ||
| 申请公布号 | CN1192437C | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN00813458.8 | 申请日期 | 2000.09.15 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | T·P·哈尼德;H·巴奇霍弗;E·昂格尔 |
| 分类号 | H01L29/51;H01L29/78 | 主分类号 | H01L29/51 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 苏娟;郑建晖 |
| 主权项 | 1、一种铁电晶体管，其中在一个半导体衬底(11)上设有两个源/漏极区(13)和一个位于其间的沟道区，在沟道区的表面上设有一个含有一个Al2O3层的第一介电中间层(14)，在第一介电中间层(14)的上面设有一个铁电层(15)和一个栅极(16)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||