光控晶闸管器件、双向光控晶闸管器件和电子设备

摘要

为了提供一种具有高的击穿电压和很少变化光灵敏度的光控晶闸管，采用改善器件的灵敏度和击穿电压同时又保持器件小尺寸的方法，该器件包括一个硅基片(1)；一个晶体管部分，它包括一个阳极区域(3，3’)，一个栅极区域(4’，4)和一个阴极区域(6’，6)并且设置在硅基片的第一主表面上；一个光接受部分，用于接受来自外边的光；和一个电极(7，7’)，用于建立在阳极区域和阴极区域之间的欧姆接触。光接受部分包括一层通过透明绝缘薄膜(10)重叠在所述硅基片上的掺氧多晶硅薄膜(11)并且设置成环绕着所述晶体管部分。电极(7，7’)设置在所述晶体管部分上并且具有双结构，该双结构包括一个中心部分(7a，7a’)和一个环绕着中心部分的外围部分(7b，7b’)并且中心部分和外围部分进行电连接。

主权项

1.一种光控晶闸管器件，它包括：一个硅基片(1)；一个晶体管部分，它包括一个阳极区域(3，3’)，一个栅极区域(4’，4)和一个阴极区域(6’，6)并且设置在硅基片的第一主表面上；一个光接受部分，用于接受来自外边的光；和，一个电极(7，7’)，它电连接所述阳极区域和所述阴极区域中的一个区域；其特征在于：所述光接受部分包括一层设置在所述硅基片上的氧插座多晶硅薄膜(11)并且设置成环绕着所述晶体管部分，和，所述电极(7，7’)设置在所述晶体管部分上并且具有双结构，该双结构包括一个中心部分(7a，7a’)和一个环绕着中心部分的外围部分(7b，7b’)并且中心部分和外围部分进行电连接。