| 发明名称 | 多晶硅层的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅层处理方法，用以增加形成氧化层的平坦度，包含提供一半导体结构，在该半导体结构上形成一多晶硅层，通过化学机械研磨方式处理多晶硅层，并在多晶硅层上形成一氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN1591788A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN03150598.8 | 申请日期 | 2003.08.27 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 金平中;蔡孟锦 |
| 分类号 | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、一种多晶硅层的处理方法，用以增加形成氧化层的平坦度，其特征在于，包含：提供一半导体结构；在该半导体结构上形成一多晶硅层；以化学机械研磨方式处理该多晶硅层；以及在该多晶硅层上形成一氧化层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||