发明名称 光刻用掩模护层
摘要 本发明提供一种具有实用性的光刻用掩模护层,其对于例如200至300纳米的远紫外线,尤其是200纳米以下的真空紫外线的短波长的光具有高透光率及耐旋光性。光刻用掩模护层是至少具有掩模护层膜、张贴该掩模护层膜的护层框,以及设于该掩模层框的另一端面具有粘接层的光刻用掩模护层,其特征为:所述掩模护层膜是由氟掺杂氧化硅及含氟树脂的复合构造制成。
申请公布号 CN1591181A 申请公布日期 2005.03.09
申请号 CN200410062426.6 申请日期 2004.07.07
申请人 信越化学工业株式会社 发明人 永田爱彦
分类号 G03F1/14 主分类号 G03F1/14
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 程伟
主权项 1.一种光刻用掩模护层,至少具有掩模护层膜,张贴该掩模护层膜的掩模护层框,以及设于该掩模护层框另一端面的具有粘接层的光刻用掩模护层,其特征为:上述掩模护层膜是由氟掺杂氧化硅与含氟树脂的复合构造制成。
地址 日本东京都