利用地电压或电源电压位线预充电方法的半导体存储装置

摘要

提供了一种没有参考单元，利用VSS或VDD位线预充电方法的半导体存储装置。在VSS预充电方法中使用两个P型感测放大器，并且在VDD预充电方法中使用两个N型感测放大器。在两个感测放大器中的一个中，驱动位线的晶体管具有比驱动互补位线的晶体管低的电流驱动能力。在两个感测放大器中的另一个中，驱动互补位线的晶体管具有比驱动位线的晶体管低的电流驱动能力。因此，两个感测放大器的一个首先工作，并且根据当字线被使能时所选择的两个存储单元之一的位置在预定的延迟时间之后，两个感测放大器的另一个工作，以便正确地检测数据“0”和“1”，从而解决了通常的利用参考单元的VSS或VDD预充电方法的问题。

主权项

1.一种半导体存储装置，包括：第一存储单元；第二存储单元；连接于第一存储单元的位线；连接于第二存储单元的互补位线；以及感测并放大位线和互补位线之间的电压差的感测放大器部分，其中感测放大器部分包括：N型感测放大器，包括一对交叉耦合的NMOS晶体管；以及两个P型感测放大器，每个均包括一对交叉耦合的PMOS晶体管，其中两个P型感测放大器在预定时间间隔被顺序使能。