快闪存储单元、快闪存储单元阵列及其制造方法

摘要

本发明公开一种快闪存储单元、快闪存储单元阵列及其制造方法。该快闪存储单元阵列由衬底、串接的多个存储单元结构与源极区/漏极区所构成。各个存储单元结构是由设置于衬底上且由衬底起依序为选择栅极介电层、选择栅极与顶盖层所构成的堆栈栅极结构；设置于选择栅极侧壁的间隙壁；设置于堆栈栅极结构一侧，并与堆栈栅极结构相连接的控制栅极；设置于控制栅极与衬底之间的浮置栅极；设置于控制栅极与浮置栅极之间的栅极间介电层；设置于浮置栅极与衬底之间的隧穿介电层与分别设置于存储单元阵列最外侧的控制栅极与堆栈栅极结构一侧的衬底中的源极区/漏极区所构成。

主权项

1.一种快闪存储单元，包括：一衬底；一堆栈栅极结构，设置于该衬底上，该堆栈栅极结构从该衬底起依序为一选择栅极介电层、一选择栅极与一顶盖层；一间隙壁，设置于该选择栅极侧壁；一控制栅极，设置于该堆栈栅极结构一侧，并与该堆栈栅极结构相连接；一浮置栅极，设置于该控制栅极与该衬底之间，且该浮置栅极具有凹下的一开口；一栅极间介电层，设置于该控制栅极与该浮置栅极之间；一隧穿介电层，设置于该浮置栅极与该衬底之间；以及一源极区/漏极区，分别设置于该控制栅极与该堆栈栅极结构一侧的该衬底中。