低正向导通电压降、高反向阻断电压的结势垒萧特基器件

摘要

本发明揭示了一种制作于第一导电类型基片之上的萧特基器件。该器件包括用于降低正向势垒高度而设计的第一导电类型的第一扩散区。该器件进一步包括和第一扩散区相毗邻的用于减小器件反向漏电流而设计的第二导电类型的第二扩散区。

主权项

1、一个结势垒萧特基器件，其特征在于包含：属于第一导电类型的第一半导体层和属于第一导电类型的第二半导体层，其中第二半导体层位于上述第一半导体层之上，其掺杂浓度比上述第一半导体层低；一个属于上述第一导电类型的第一扩散区，其掺杂浓度比上述第二半导体层高，用作正向势垒高度缩减区；以及一个属于第二导电类型的第二扩散区，该扩散区和上述第一扩散区相互毗邻，生长于上述第二半导体层之上，构成反向阻断增强区。