双存储单元读取和写入技术

摘要

存储单元阵列的存储单元是成对地进行编程的。这些对至少由一个存储单元分开，从而减少了编程期间对之间相互干扰的可能性。存储单元是通过向每个存储单元的其中一个位线施加相对较高的电压来单独地进行编程的，不管存储单元是否将要被编程，而向第二个位线施加较小的电压，具体情况取决于是否要对存储单元进行编程。这种编程电压分配提高了编程的速度。此外，成对的编程方案将所需要的高电压以只有以前的方案的一半的频率对阵列的所有存储单元进行编程，从而提高了存储系统的寿命。

主权项

1.对分别包括第一扩散层和第二扩散层的一个或多个存储单元进行编程的方法，包括向第一扩散层施加第一个电压，足以能对存储单元进行编程，而不管是否将要对存储单元进行编程；以及根据是否要对存储单元进行编程，同时向第二扩散层施加第二或第三电压，其中，第二电压小于第一电压。