发明名称 磁记录媒体的制造方法
摘要 本发明提供一种磁记录媒体的制造方法,其能够有效可靠地制造具有形成了规定的凹凸图案的记录层且表面充分平坦的磁记录媒体,该制造方法,在非磁性材料填充步骤中,将作为每单位时间的成膜厚度的成膜率V、上述偏置功率为0的情况下的上述成膜率V<SUB>o</SUB>、非磁性材料的成膜厚度t、记录元件的宽度L、记录元件之间的凹部的深度d,以满足下述关系式(I)的方式,调节成膜加工条件,并向被加工体(10)成膜·填充非磁性材料,其中该关系式为,0.1≤V/V<SUB>o</SUB>≤-0.003×(L·d/t)+1.2……(I)。
申请公布号 CN1591587A 申请公布日期 2005.03.09
申请号 CN200410064475.3 申请日期 2004.08.27
申请人 TDK股份有限公司 发明人 诹访孝裕;高井充;服部一博;大川秀一
分类号 G11B5/84;G11B5/855 主分类号 G11B5/84
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 经志强;潘培坤
主权项 1.一种磁记录媒体的制造方法,在衬底上以规定的凹凸图案形成记录层,并用非磁性材料填充该凹凸图案的凹部,其特征在于:该方法包括如下的非磁性材料填充步骤,即一边在上述衬底上形成了上述规定的凹凸图案的被加工体上附加偏置功率,一边在该被加工体的表面上使上述非磁性材料的成膜,并在上述凹部中填充上述非磁性材料,而且,通过调节包括上述偏置功率的成膜加工条件,使作为上述非磁性材料的每单位时间的成膜厚度的成膜率V的调节变为可能;将在上述偏置功率为0的情况下的上述成膜率用Vo、上述非磁性材料的成膜厚度用t,上述凹凸图案的凸部的宽度用L、上述凹部的深度用d表示,以满足下述关系式(I)的方式,调节上述成膜加工条件,并执行上述非磁性材料填充步骤,其中该关系式为,0.1≤V/Vo≤-0.003×(L·d/t)+1.2 ……(I)。
地址 日本东京都