发明名称 |
Strahlungsempfangender Halbleiterkörper mit einer integrierten Filterschicht |
摘要 |
Ein strahlungsempfangender Halbleiterkörper, der zumindest einen strahlungsabsorbierenden aktiven Bereich (2) zwischen zumindest zwei Kontaktschichten (6, 7) aufweist und elektromagnetische Strahlung in einem Wellenlängenbereich zwischen lambda¶1¶ und lambda¶2¶ empfängt, wobei lambda¶2¶ > lambda¶1¶, weist eine Filterschicht (5) zwischen dem aktiven Bereich (2) und einer Strahlungs-Einkopplungsfläche (9) auf. Der aktive Bereich (2) detektiert elektromagnetische Strahlung, die eine Wellenlänge kleiner als lambda¶2¶ aufweist. Die Filterschicht (5) absorbiert elektromagnetische Strahlung, die eine Wellenlänge kleiner als lambda¶1¶ aufweist, und läßt elektromagnetische Strahlung durch, die eine Wellenlänge größer als lambda¶1¶ aufweist.
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申请公布号 |
DE10341086(A1) |
申请公布日期 |
2005.03.03 |
申请号 |
DE20031041086 |
申请日期 |
2003.09.05 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
PHILIPPENS, MARC;PLAINE, GLENN-YVES;ALBRECHT, TONY;BRICK, PETER |
分类号 |
H01L31/0232;H01L31/101;(IPC1-7):H01L31/023 |
主分类号 |
H01L31/0232 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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