混合集成的高亮度半导体白光源及其制作方法

摘要

本发明是一种混合集成的高亮度半导体白光源，其由至少两个发不同颜色的、侧面出光的、相互粘结在一起的发光单元构成，它们在电学上互成串联关系，不同颜色的光从各个发光单元出射之后混合成为白光；每一个发光单元为多层结构，包括第一电极层(16)、缓冲层和第一包层(10)、下限制波导层(11)、有源区(12)、上限制波导层(13)、第二包层(14)、第二电极层(15)，在其左右解理腔面上分别镀有反射膜(17)、(18)，它们形成光子的谐振腔。其制作方法是在发光单元的解理腔面上镀制反射膜，形成光子谐振腔之后，将至少两个发不同颜色的、侧面出光的发光单元用导电胶相互粘结，使它们在电学上互为串联关系。

主权项

1.一种混合集成的高亮度半导体白光源，其特征在于：由至少两个发不同颜色的、侧面出光的、相互粘结在一起的发光单元构成，它们在电学上互成串联关系，不同颜色的光从各个发光单元出射之后混合成为白光；每一个发光单元为多层结构，自下往上依次是第一电极层(16)、缓冲层和第一包层(10)、下限制波导层(11)、有源区(12)、上限制波导层(13)、第二包层(14)、第二电极层(15)，在其左右解理腔面上分别镀有反射膜(17)、(18)，它们形成光子的谐振腔。