| 发明名称 | Cd(In,Ga)<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>/MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>复合衬底材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种Cd(In，Ga)<SUB> 2:SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>复合衬底的材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>单晶上设有一层Cd(In，Ga)<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：用脉冲激光淀积方法在MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB> (111)单晶衬底上形成Cd(In，Ga)<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>覆盖层，通过退火工艺处理，在MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB> (111)单晶衬底得到晶化的Cd (In，Ga)<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB> (111)薄膜。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单，易操作，此种结构的复合衬底Cd(In，Ga)<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>/MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>适合于高质量GaN的外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN1588615A | 申请公布日期 | 2005.03.02 |
| 申请号 | CN200410067131.8 | 申请日期 | 2004.10.13 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 夏长泰;张俊刚;徐军;周国清;吴锋;彭观良 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种Cd(In，Ga)2O4/MgAl2O4复合衬底材料，其特征是在MgAl2O4单晶上设有一层Cd(In，Ga)2O4的晶化薄膜而构成。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||