| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED GATE PARASITIC CAPACITANCE AND FABRICATING METHOD THEREOF, CONCERNED WITH MAXIMALLY REDUCING PARASITIC CAPACITANCE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR100475728(B1) |
申请公布日期 |
2005.03.02 |
| 申请号 |
KR19970032572 |
申请日期 |
1997.07.14 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
LIM, JUN HONG |
| 分类号 |
H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
