| 摘要 |
本发明提供一种设计和形成一主光罩(404)以及使用该主光罩制造一半导体基底(410)之方法，该方法包含界定一主光罩布局档(reticle layout file)之第一边缘。该第一边缘相当于一参考特征(12，14)(reference feature)。本方法进一步包含使用该参考特征而将一个次解析辅助特征(62，64)(subresolution assist feature)插入该主光罩布局档内。该次解析辅助特征与一条含有该第一边缘之线(82，84)构成一夹角(θ)，其中该夹角不为90度。在一具体实施例中，该次解析辅助特征可在该等辅助特征之位置已决定之后予以手动或自动地插入布局档内。该等次解析辅析特征并未在基底上制作图案，而是辅助形成具均匀尺寸之光阻特征。 |
