形成磷掺杂而包含层之二氧化矽之方法,及于积体电路制造中形成沟渠隔离之方法

摘要

本发明系揭示一种形成一磷掺杂而包含层之二氧化矽之方法，以及一种于积体电路制造中形成沟渠隔离之方法。一项实施方案中，一种形成一磷掺杂而包含层之二氧化矽之方法包括将一基板定位于一沈积室内。在对沈积一磷掺杂而包含层之二氧化矽至该基板有效的状况下，在复数个沉积循环中将第一及第二汽相反应物以交替及时间上分离脉冲方式引入该室内的该基板。该等第一及第二汽相反应物之一系PO(OR)3，其中R系烃基，该等第一及第二汽相反应物中的另一个系Si(OR)3OH，其中R系烃基。