发明名称 在基底中定义深沟槽之方法及用以定义深沟槽之多层硬式罩幕结构
摘要 本发明揭示一种在基底中定义深沟槽之方法。首先,在一基底上形成一多层硬式罩幕结构,其包括:一第一硬式罩幕层及设置其上方之至少一第二硬式罩幕层,其中第一硬式罩幕层系由一第一硼矽玻璃层及设置其上之一第一未掺杂矽玻璃层所构成,且第二硬式罩幕层系由一第二硼矽玻璃层及设置其上之一第二未掺杂矽玻璃层所构成。接着,在多层硬式罩幕结构上方形成一复晶矽层,然后蚀刻复晶矽层以形成一开口。接着,依序蚀刻开口下方之多层硬式罩幕结构及基底,以同时在基底中形成深沟槽及去除复晶矽层。最后,去除多层硬式罩幕结构。
申请公布号 TW200509292 申请公布日期 2005.03.01
申请号 TW092122720 申请日期 2003.08.19
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 邹侃儒;蔡子敬;陈逸男
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号