| 主权项 |
1.一种导电膏,其特征在于:其系用于在包括由基体用陶瓷组成的多层陶瓷层以及沿着前述陶瓷层间特定介面延伸的内部导体膜的积层电子零件中形成该内部导体膜之导电膏,其包括:导电金属粉末,陶瓷粉末,以及有机赋形剂,该陶瓷粉末为包括选自Re(Re为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y之至少一种)、Mg及Mn的化合物之至少一种且经锻烧之ABO3系(A为Ba或Ba及其一部分置换成Ca及Sr之至少一种、B为Ti或Ti及其一部分置换成Zr及Hf之至少一种)之粉末,其具有比该金属粉小的平均粒径,且为在该基体用陶瓷之烧结温度下不烧结的粉末。2.如申请专利范围第1项之导电膏,其中该金属粉末系选自Ag、以Ag为主成分的合金、Ni、以Ni为主成分的合金、Cu及以Cu为主成分的合金所成组群之至少一种。3.一种积层陶瓷电子零件的制造方法,其特征在于:其系用以制造包括由基体用陶瓷组成的多层陶瓷层以及沿该陶瓷层间特定介面延伸的内部导体膜的积层陶瓷电子零件,其包括下述步骤:陶瓷原料片制备步骤,该陶瓷原料片包括主成分系以一般式A'B'O3(A'为Ba或Ba以及其一部分置换成Ca及Sr的至少一种、B'为Ti或Ti以及其一部分置换成Zr及Hf的至少一种)表示的基体用陶瓷原料粉末,未经加工积层体制造步骤,系为提供该陶瓷层而将多片该陶瓷原料片积层,同时为了提供该内部导体膜而沿着该陶瓷原料片间特定介面涂布如申请专利范围第1或2项之导电膏,及烧结该未经加工积层体之步骤。4.如申请专利范围第3项之积层陶瓷电子零件的制造方法,其中该未经加工积层体制造步骤中,由该导电膏赋予之内部导体膜系配置成藉由该陶瓷层而获得静电容量,在烧结该未经加工积层体的步骤后,又包括在烧结后的该积层体外表上形成与取出所述静电容量用的该内部导体膜特定部位电连接的外部电极之步骤,由此制造积层陶瓷电容。5.一种积层陶瓷电子零件,其特征在于:其系包括由基体用陶瓷组成的多层陶瓷层、及沿该陶瓷层用特定介面延伸的内部导体膜者,所述基体用陶瓷的主成分系以一般式A'B'O3(A'为Ba或Ba以及其一部分经置换成Ca及Sr的至少一种、B'为Ti或Ti以及其一部分经置换成Zr及Hf的至少一种)表示,且该内部导体膜系由如申请专利范围第1或2项的导电膏烧结后所得到的烧结体。6.如申请专利范围第5项之积层陶瓷电子零件,其中该内部导体膜系配置成藉由该陶瓷层获得静电容量,且在由多层陶瓷层构成的积层体表面上形成有与取出该静电容量之该内部导体膜特定部位电连接的外部电极,由此构成积层陶瓷电容。图式简单说明:图1表示使用本发明一实施形态的导电膏所构成的积层陶瓷电子零件的一例的积层陶瓷电容1的剖视图。图2表示依据本发明实施的实验例1中,添加入导电膏后的实施例1及比较例1至3各例有关的陶瓷粉以及基体用陶瓷随温度上升的收缩率变化的示意图。图3表示依据本发明实施的实验例2中,添加入导电膏后的实施例2及比较例4各例有关的陶瓷粉以及基体用陶瓷随温度上升收缩率变化的示意图。 |
