发明名称 半导体积体电路
摘要 本发明提供一种输出电路,其输出MOS电晶体的源极部之寄生电容、寄生电阻小,而且经强化可高速进行电路动作的ESD耐受能力。其解决的方式系在输出端子与接地端子之间(或电源端子之间)设置专用之静电保护电路;此静电保护电路系在源极与汲极的所有范围,都是由矽化的第1MOS电晶体与第2MOS电晶体的串级连接所构成的。两电晶体的闸极电极皆连接到内部电路,第1MOS电晶体的源极扩散层与第2MOS电晶体的汲极扩散层,系分别隔离形成,并以金属配线连接。
申请公布号 TW200509372 申请公布日期 2005.03.01
申请号 TW093121912 申请日期 2004.07.22
申请人 NEC电子股份有限公司 发明人 森下泰之
分类号 H01L27/088;H03K19/0175 主分类号 H01L27/088
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本