| 主权项 |
1.一种不透光晶片雷射切割方法,系将晶片放置于工作平台之中心孔上,使晶片背面之不透光层朝上,而正面之透光层朝下;利用正下方电子显微摄影装置往上观察晶片之透光层,以显示晶片内部磊晶层各单元之排列形状位置;再配合正上方雷射光束往下切割晶片背面之不透光层及磊晶层,而切割制出各独立晶粒。2.如申请专利范围第1项所述之不透光晶片雷射切割方法,其中该电子显微摄影装置以上面雷射滤波镜过滤雷射光束。3.一种不透光晶片雷射切割装置,系包括有:一受控移动之工作平台,其中心孔顶端系承载晶片;一上方雷射装置,其雷射产生器之雷射光束经由反射镜及集光镜,而往正下方射向晶片;以及一下方电子显微摄影装置,系经由雷射滤波镜往正上方观察晶片内部之磊晶层。4.如申请专利范围第3项所述之不透光晶片雷射切割装置,其中更包括一上方电子显微摄影装置,系经由雷射装置之单向反射镜及集光镜,而往正下方观察晶片。图式简单说明:第1图系本发明实施例雷射切割装置之正视图;第2图系第1图上方雷射装置及上方电子显微摄影装置之俯视图;第3图系第1图上方雷射装置之俯视图;以及第4图系第1图晶片雷射切割加工之示意图。 |
