| 主权项 |
1.一种转移光罩图形之方法,至少包括: 提供用以产生一光罩之一资料档,并将该资料档分 成复数个部分,其中每一该些部分至少包括一主要 图形区与一接合区(Stitching Area),且该接合区至少 包括一共同图形; 以一第一照射束照射该些部分; 形成该主要图形区之被照射部分之一影像; 以一第二照射束照射每一该些部分之一连接端所 对应之一基材区域;以及 形成该接合区之被照射部分之一影像,并在该共同 图形所对应之该接合区产生一半色调灰阶(Halftone Gray Level)曝光剂量分布,其中相邻之每一该些接合 区之该共同图形重叠于该基材区域上, 其中产生该半色调灰阶曝光剂量分布之该共同图 形至少包括一几何特征。 2.如申请专利范围第1项所述之转移光罩图形之方 法,其中该接合区邻近该主要图形区,且为每一该 些部分之该连接端。 3.如申请专利范围第1项所述之转移光罩图形之方 法,其中该接合区之该共同图形至少包括一耦合图 形。 4.如申请专利范围第1项所述之转移光罩图形之方 法,其中该接合区之该共同图形具有该半色调灰阶 曝光剂量分布。 5.如申请专利范围第1项所述之转移光罩图形之方 法,其中该几何特征至少包括一多边形。 6.一种自光罩转移电路图形至晶圆之方法,至少包 括: 提供用以产生一光罩之一资料档,并将该资料档分 成复数个部分,其中每一该些部分至少包括一主要 图形区与一接合区,且该接合区至少包括一共同图 形; 以一第一带电粒子束照射该些部分; 形成该主要图形区之被照射部分之一影像; 以一第二带电粒子束照射每一该些部分之一连接 端所对应之一晶圆区域;以及 形成该接合区之被照射部分之一影像,并在该共同 图形所对应之该接合区产生一半色调灰阶曝光剂 量分布,其中相邻之每一该些接合区之该共同图形 重叠于该晶圆区域上,其中产生该半色调灰阶曝光 剂量分布之该共同图形至少包括一几何特征。 7.如申请专利范围第6项所述之自光罩转移电路图 形至晶圆之方法,其中该接合区邻近该主要图形区 ,且为每一该些部分之该连接端。 8.如申请专利范围第6项所述之自光罩转移电路图 形至晶圆之方法,其中该接合区之该共同图形至少 包括一耦合图形。 9.如申请专利范围第6项所述之自光罩转移电路图 形至晶圆之方法,其中该接合区之该共同图形具有 该半色调灰阶曝光剂量分布。 10.如申请专利范围第6项所述之自光罩转移电路图 形至晶圆之方法,其中该几何特征至少包括一多边 形。 11.一种自光罩转移电路图形至晶圆之影像装置,至 少包括: 一资料档,用以产生一光罩,其中该资料档分成复 数个部分,且每一该些部分至少包括一主要图形区 与一接合区,而该接合区至少包括一共同图形; 一第一照射束,用以照射该些部分,因而形成该主 要图形区之被照射部分之一影像;以及 一第二照射束,用以照射每一该些部分之一连接端 所对应之一晶圆区域,因而形成该接合区之被照射 部分之一影像,并在该共同图形所对应之该接合区 产生一半色调灰阶曝光剂量分布,其中相邻之每一 该些接合区之该共同图形重叠于该晶圆区域上, 其中产生该半色调灰阶曝光剂量分布之该共同图 形至少包括一几何特征。 12.如申请专利范围第11项所述之自光罩转移电路 图形至晶圆之影像装置,其中该接合区邻近该主要 图形区,且为每一该些部分之该连接端。 13.如申请专利范围第11项所述之自光罩转移电路 图形至晶圆之影像装置,其中该接合区之该共同图 形至少包括一耦合图形。 14.如申请专利范围第11项所述之自光罩转移电路 图形至晶圆之影像装置,其中该接合区之该共同图 形具有该半色调灰阶曝光剂量分布。 15.如申请专利范围第11项所述之自光罩转移电路 图形至晶圆之影像装置,其中该几何特征至少包括 一多边形。 16.一种制造光罩之方法,至少包括: 提供用以产生一光罩之一资料档,并将该资料档分 成复数个部分,其中每一该些部分至少包括一主要 图形区与一接合区,且该接合区至少包括一几何图 形;以及 于该接合区形成一组几何特征,其中于一照射过程 后该组几何特征形成一半色调灰阶曝光剂量分布 。 17.如申请专利范围第16项所述之制造光罩之方法, 其中该接合区邻近该主要图形区,且为每一该些部 分之该连接端。 18.如申请专利范围第16项所述之制造光罩之方法, 其中该接合区之该组几何特征至少包括一耦合图 形。 19.如申请专利范围第16项所述之制造光罩之方法, 其中该接合区之该组几何特征具有该半色调灰阶 曝光剂量分布。 20.如申请专利范围第16项所述之制造光罩之方法, 其中该组几何特征至少包括一多边形。 图式简单说明: 第1图系绘示依照本发明一较佳实施例中可产生半 色调灰阶曝光剂量分布之单一光罩副场图形及其 曝光剂量与光罩位置之关系图; 第2图系绘示二个相邻之第1图中的光罩副场图形 之接合示意图及曝光剂量与光罩位置之关系图; 第3图至第8图系绘示本发明中具有各种不同接合 区几何形状之光罩副场图形之示意图,其中各图中 更包括重叠横向偏移及/或重叠纵向偏移,而仍可 产生半色调灰阶曝光剂量分布。 |
