| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Rückseitenbearbeitung von Halbleiterbausteinen, wobei zunächst ein ganzflächiges Dünnen eines Substrats des Halbleiterbausteins bis zu einer ersten Substratdicke (S1), anschließend ein Ausbilden einer ersten Vertiefung mittels fokussierter Ionenstrahlen bis zu einer zweiten Substratdicke (S2), anschließend ein Ausbilden einer zweiten Vertiefung innerhalb der ersten Vertiefung mittels fokussierter Ionenstrahlen bis zu einer dritten Substratdicke (S3), bei der eine Grabenisolierung im Substrat erfassbar ist und abschließend eine Fein-Justierung des Halbleiterbausteins auf der Grundlage eines FIB-Bildes der zweiten Vertiefung und eines Referenz-Layouts für eine Grabenisolierung des Halbleiterbausteins (S4) durchgeführt wird. Auf diese Weise können Schaltungsmodifikationen von der Rückseite eines Halbleiterbausteins mit einer Genauigkeit von bis zu 25 nm realisiert werden.
|
