| 摘要 |
提供一种IC(integrated circuit)(100)之结构及其形成方法(900)。使闸极介电层(104)形成于半导体基板(102)上，再将闸极(106)形成于半导体基板(102)上之闸极介电层(104)上面。使源极／汲极接合层(504／506)形成于半导体基板(102)中。将极均匀之矽化物(604／608)形成于源极／汲极接合层(504／506)上，以及使介电层(702)沉积于半导体基板(102)之上面。接着再将接点(802／804／806)形成在该介电层(702)内且与极均匀之矽化物(604／606／608)接触。 |
