发明名称 溅镀源、溅镀装置及溅镀方法
摘要 本发明提供一种溅镀源、溅镀装置及溅镀方法,当靶子15进行溅镀时,各靶子15系相对于基板10移动,故溅镀时基板10的所有区域皆与靶子15相对,而得以在基板10的表面形成膜质均匀的膜。此外,溅镀时,不仅是靶子15,磁场形成装置25亦相对于靶子15移动,因此得以溅镀靶子15较广泛的区域。再者,若将磁场形成装置25相对于基板10移动的话,则靶子15大部分被溅镀的区域相对于基板10移动,而形成于基板10之膜的膜质更加均匀。
申请公布号 TW200506083 申请公布日期 2005.02.16
申请号 TW093112274 申请日期 2004.04.30
申请人 优贝克科技股份有限公司 发明人 佐藤重光;末代政辅;大空弘树;清田淳也;中村肇;石桥晓;太田淳
分类号 C23C14/35 主分类号 C23C14/35
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本