用于III-氮化物发光装置之异质结构HETEROSTRUCTURES FOR III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICES

摘要

在此揭示异质结构设计，其可增加III–氮化物发光装置，例如发光二极体，作用区量子井层中的有效电荷载子数目。在第一具体实例中，储存层包含有发光装置作用区中的障蔽层及量子井层。某些具体实例中，储存层比障蔽层及量子井层为厚，并且有比障蔽层较大的铟合成比率以及比量子井层为小的铟合成比率。某些具体实例中，储存层是逐渐变化的。在第二具体实例中，发光装置的作用区为一超点阵的交错量子井层及障蔽层。某些具体实例中，障蔽层薄到可让电荷载子经障蔽层隧通在量子井层间。