P型记忆单元组成之反及型记忆模组之操作方法

摘要

一种P型记忆单元组成之反及型记忆模组之操作方法。该方法包含提供复数个记忆单元，每一个记忆单元包含一基极、一P型汲极、一P型源极、一二氧化矽－氮化矽－二氧化矽(ONO)层，以及一闸极，每一个记忆单元可储存二位元之资料，该复数个记忆单元排列成反及阵列；使用带对带电子穿越引发热电子注入的机制对该复数个记忆单元进行写入操作；使用贯通机制进行反向读取操作对该复数个记忆单元进行读取操作；以及使用福乐诺汉穿隧的机制对该复数个记忆单元进行抹除操作。