发明名称 膜厚测量方法及膜厚测量装置
摘要 本发明之课题,系提供能够将形成在基板上的导电性之膜厚,有效率地以廉价测量之技术。本发明之膜厚测量装置,系备有:可配置在导电膜51附近的预定位置,且对导电膜51使之发生预定的涡电流并且检出由该涡电流之磁场的涡电流线圈察觉器20、和为了测量涡电流线圈察觉器20与导电膜51之间的变位用的雷射变位察觉器30,并根据在涡电流线圈察觉器20的电感之变化量、和以雷射变位察觉器 30被测量的变位量,测量导电膜51之厚度。
申请公布号 TW200506319 申请公布日期 2005.02.16
申请号 TW093128896 申请日期 2001.10.29
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 陈凯;中村静雄;南津显仁
分类号 G01B7/02;G01B11/02 主分类号 G01B7/02
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本