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发明名称
加工方法及半导体装置之制造方法
摘要
本发明系在被加工膜上形成保护膜以施行光加工之技术中,容易除去保护膜。本发明之加工方法系包含在基板101上之A1膜107上形成水溶性之保护膜109之工序;照射加工光110,以选择地除去保护膜109及A1膜107之加工区域之工序;及利用水溶解除去保护膜109之工序。
申请公布号
TW200505614
申请公布日期
2005.02.16
申请号
TW093123507
申请日期
2004.08.05
申请人
东芝股份有限公司
发明人
竹石知之;川野健二;池上浩;伊藤信一;渡濑正美
分类号
B23K25/00;H01L21/00
主分类号
B23K25/00
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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