半导体热处理工艺与设备及由该工艺热处理的半导体

摘要

一个II-VI化合物半导体热处理工艺能降低电阻率却不会因晶格位错密度的增大而导致结晶率下降。该工艺包括以下步骤：(a)、让至少一个II-VI化合物半导体在具有由从一个组中选出的至少一种物质形成的内表面的热处理组中与铝接触，该组由热解天生氮化物，六方晶系氮化硼，蓝宝石，刚玉，氮化铝，和多晶体金刚石组成的；(b)、在含有一个或几个II-VI化合物半导体的II族元素组成部分的气雾中对该一个或几个II-VI化合物半导体进行热处理。用上述工艺对II-VI化合物半导体进行热处理。II-VI化合物半导体热处理设备包括用于执行上述工艺的构件。

主权项

1.一种II-VI化合物半导体热处理的工艺，该工艺包括工序：(a)、将表面与铝接触的至少一个II-VI化合物半导体放置在热处理室中，所述热处理室具有下面(a1)和(a2)所述的特征：(a1)、具有内表面，所述内表面：(a1a)、围绕将被热处理的一个或几个II-VI化合物半导体；并且(a1b)、由从热解氮化硼、六方晶系氮化硼、蓝宝石、刚玉、氮化铝和多晶体金刚石组成的组中选出的至少一种材料形成；(a2)、通过小口径的细孔与外部连通，(b)、将所述热处理室放置在石英容器中；(c)、用真空泵将所述石英容器抽真空；(d)、在所述热处理室中以660至1200℃的温度对所述一个或几个II-VI化合物半导体进行热处理，所述热处理室中充满了包含构成一个或几个II-VI化合物半导体一部分的II族元素的气体。