| 发明名称 | 半导体器件及其控制方法 | ||
| 摘要 | 本文公开了能够在写入恢复时间(tWR)期间，通过重写最后写入数据减少数据写入错误的半导体器件和控制它的方法。该半导体器件包括由数个重复单元组成的存储单元阵列；位线放大器，用于放大存储单元阵列的位线电压和互补位线电压之间的电压差；通过列选择线信号启动的切换器件，用于分别将数据线和互补数据线与位线和互补位线电连接；和写入驱动器，用于将写入数据电压供应给数据线和互补数据线，其中，列选择线信号是在写入恢复时间期间生成的。控制该半导体器件的方法包括如下步骤：将数据电压写入存储单元阵列中；和在写入恢复时间期间生成列选择线信号。 | ||
| 申请公布号 | CN1581355A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN200410056444.3 | 申请日期 | 2004.08.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林钟亨;权赫准;李贤奎 |
| 分类号 | G11C11/4063 | 主分类号 | G11C11/4063 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 吕晓章;马莹 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：含有数个单元的存储单元阵列；位线放大器，用于放大存储单元阵列的位线电压和互补位线电压之间的电压差；通过列选择线信号启动的切换器件，用于分别将数据线和互补数据线与位线和互补位线电连接；和写入驱动器，用于将写入数据电压供应给数据线和互补数据线，其中，列选择线信号是在写入恢复时间期间生成的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||