| 发明名称 | 包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置的方法。一种场致发光装置包括：一场致发光元件和一与该场致发光元件电连接薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：一栅极电极，形成在一衬底上方；一绝缘层，形成在该栅极电极上方；一第一半导体图形，形成在该绝缘层上方。一蚀刻停止层形成在该第一半导体层上方。一第二半导体图形在该蚀刻停止层一侧形成在该蚀刻停止层上方，而一第三半导体图形在该蚀刻停止层另一侧形成在该蚀刻停止层上方。一源极电极形成在该第二半导体图形上方，而一漏极电极形成在该第三半导体图形上方。 | ||
| 申请公布号 | CN1578551A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410007734.9 | 申请日期 | 2004.03.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔埈厚;朱仁秀;崔凡洛;许宗茂 |
| 分类号 | H05B33/12;H05B33/10 | 主分类号 | H05B33/12 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种场致发光装置，包括：一场致发光元件；以及一薄膜晶体管，与该场致发光元件电连接，该薄膜晶体管包括：一栅极电极，形成在一衬底上方；一绝缘层，形成在该栅极电极上方；一第一半导体图形，形成在该绝缘层上方；一蚀刻停止层，形成在该第一半导体图形上方；一第二半导体图形，在该蚀刻停止层一侧形成在该蚀刻停止层上方；一第三半导体图形，在该蚀刻停止层另一侧形成在该蚀刻停止层上方；一源极电极，形成在该第二半导体图形上方；以及一漏极电极，形成在该第三半导体图形上方。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||