非挥发性存储单元及其形成方法

摘要

一种形成一非挥发性存储单元的方法，包括于一基底表面上形成含有一电子捕捉层的一组成叠层。于组成叠层上形成一介电层，再去除部分以便沿组成叠层侧壁有介电层的剩余物的存在。之后，于邻近组成叠层的基底中的一位线上形成一氧化层，再于组成叠层及氧化层上形成一导电层。一描述的非挥发性存储单元包括在一基底表面上的一组成叠层，此一组成叠层包括一电子捕捉层。多个介电间隙壁沿着组成叠层侧壁配置。一氧化层位于邻近组成叠层的基底中的一位线上，以及一导电层位于组成叠层及氧化层上。

主权项

1.一种形成非挥发性存储单元的方法，其特征是，该方法包括：于一基底的一表面上形成至少一非挥发性存储单元的一组成叠层，其中该组成叠层包括一电子捕捉层；于该组成叠层上形成一介电层；去除部分该介电层，以便沿该组成叠层的侧壁有该介电层的一剩余物的存在；于邻近该组成叠层的该基底中的一位线上形成一氧化层；以及于该组成叠层及该氧化层上形成一第一导电层。