| 发明名称 | 具有高阶模式吸收层的半导体激光二极管 | ||
| 摘要 | 半导体激光二极管能够提高弯折级别并提高严重光学损伤(COD)级别。一种半导体激光二极管包括第一导电类型的半导体衬底；形成在衬底上的第一导电类型的覆盖层；形成在第一导电类型的覆盖层上的有源层；第二导电类型的覆盖层，形成在有源层上并提供有一个脊；光限制层，形成在第二导电类型的覆盖层上，由第一导电类型的半导体材料制成，光限制层包括具有的能量带隙低于有源层产生的光能的高阶模式吸收层、以及具有的折射率低于高阶模式吸收层的折射率的折射率控制层，折射率控制层与高阶模式吸收层以交替的方式层叠。 | ||
| 申请公布号 | CN1578025A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410031966.8 | 申请日期 | 2004.03.31 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 尹相皓;格奥尔基·帕克;金仁应 |
| 分类号 | H01S5/30;H01S5/00 | 主分类号 | H01S5/30 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光二极管，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在衬底上的第一导电类型的覆盖层；形成在第一导电类型的覆盖层上的有源层；第二导电类型的覆盖层，形成在有源层上并提供有一个脊；光限制层，形成在至少脊周围的第二导电类型的覆盖层上，同时包括具有低于有源层中产生的光能的能带间隙的一个或多个高阶模式吸收层，光限制层具有的折射率低于第二导电类型的覆盖层的折射率。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||