| 发明名称 | 垂直双沟道绝缘硅晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种垂直双沟道绝缘硅场效应晶体管，包括：与衬底上的一对平行浅沟槽隔离层接触的双垂直半导体层对；源区、漏区和沟道区，在一对垂直半导体层上每一层上，相对应的区域在一对垂直半导体层上以对准方式彼此面对，在一对垂直半导体层两者的沟道区上的栅极氧化层，以及栅电极、源电极和漏电极，与一对垂直半导体层的相应区域电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1577888A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410049388.0 | 申请日期 | 2004.06.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金志永;朴珍俊 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/772;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一垂直双沟道绝缘硅场效应晶体管，包括：与衬底上的一对平行浅沟槽隔离层接触的双垂直半导体层对；在一对平行浅沟槽隔离层中的每一层上的源区、漏区和沟道区，在一对垂直半导体层上的相应区域以对准方式彼此面对；在一对垂直半导体层两者的沟道区上的栅极氧化物；以及与一对垂直半导体层的相应的区域电连接的栅电极、源电极和漏电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||