| 发明名称 | 底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管的形成方法，包括：在基板上形成栅极；在栅极上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成非晶硅层；使对应栅极的有源区中的非晶硅层结晶，以形成多晶硅层；蚀刻非晶硅层，使非晶硅的蚀刻速度大于多晶硅的蚀刻速度，以在有源区中形成多晶硅半导体层；和在半导体层上形成源极和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN1577772A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410038278.4 | 申请日期 | 2004.05.20 |
| 申请人 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 发明人 | 俞载成 |
| 分类号 | H01L21/336;G02F1/136 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;祁建国 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管的形成方法，包括：在基板上形成栅极；在栅极上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成非晶硅层；使对应栅极的有源区中的非晶硅层结晶，以形成多晶硅层；蚀刻非晶硅层，使非晶硅的蚀刻速度大于多晶硅的蚀刻速度，以在有源区中形成多晶硅半导体层；和在半导体层上形成源极和漏极。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||