纵向化合物半导体型场效应晶体管结构

摘要

本发明公开了一种纵向FET器件。在一实施方式中，化合物半导体纵向FET器件(11)包括：一第一沟槽(29)，其被制在一半导体材料基体(13)中；以及一第二沟槽(34)，其被制在第一沟槽(29)内，从而形成一沟道区(61)。然后在第二沟槽(34)的侧壁和底面上形成一掺杂栅极区(59)。在双沟槽结构(28)的相对侧上制出源极区(26)。局部的栅极接触区域(79)将各个单独的掺杂栅极区(59)联接到一起。然后为局部的栅极接触区(79)、源极区(26)、以及半导体材料基体(13)的相对表面制出触点(84、85、87)。本发明结构所形成的化合物半导体纵向FET器件(11、41、711、712、811、812)具有增强的阻断性能并具有改善的开关特性。

主权项

1.一种纵向场效应晶体管器件，其包括：一半导体材料基体，该材料属于第一种导电类型，其中，半导体材料基体具有一上表面、以及一与上表面相对的下表面，下表面上形成了一个漏极触点；一第一沟槽，其被制在半导体材料基体中，并从上表面进行延伸，其中，第一沟槽具有一第一宽度、离上表面的第一深度、第一侧壁、以及一第一底面；一第二沟槽，其被制在第一沟槽内，其中的第二沟槽具有一第二宽度、离第一表面的第二深度、第二侧壁、以及一第二底面，其中，第一、第二沟槽构成了一第一沟槽结构；一第一源极区，其被制在半导体材料的基体中，并从上表面进行延伸，其与所述第一沟槽分开；以及一第一掺杂栅极区，其被制在第二侧壁和第二底面的至少一部分中，其中，该掺杂栅极区属于第二种导电类型。