| 发明名称 | 对称高频SCR结构和方法 | ||
| 摘要 | 在一实施例中，SCR器件(41)包括p+晶片(417)、p－层(416)、n+埋层(413)和n－层(414)。在该n－层(414)中形成p－阱(411、421)。在这些p－阱(411、421)中形成n+区(412、422)和p+区(415、425)。第一欧姆接触(431)使一个n+区(422)和一个p+区(425)耦接。第二欧姆接触(433)使另一个n+区(412)和另一个p+区(415)耦接，从而提供物理上和电气上对称的低电压p－n－p－n可控硅整流器。围绕该SCR器件(41)的深隔离沟槽(419)以及掺杂浓度分布提供低电容SCR设计，用以使高频集成电路免遭静电放电。 | ||
| 申请公布号 | CN1577837A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410063365.5 | 申请日期 | 2004.07.08 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 伊夫格尼·N.·斯提法诺夫;雷内·艾司库菲尔 |
| 分类号 | H01L23/60;H01L29/74;H01L21/00 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王萍 |
| 主权项 | 1.一种高频集成电路结构，包括：一个具有多个隔离的有源区的半导体材料本体；在第一有源区中形成的内部电路；在第二有源区中形成的第一可控硅整流器器件，该第一可控硅整流器器件包含第一导电型的第一掺杂区、该第一导电型的第一阱区、第二导电型的埋层、该第一导电型的第二阱区和该第二导电型的第二掺杂区；以及第二可控硅整流器器件，其包括该第一导电型的第三掺杂区、该第二阱区、该埋层、该第一阱区和该第二导电型的第四掺杂区，其中，该第一和第二可控硅整流器器件与该内部电路耦接并且形成一个用于使该内部电路免受正、负ESD应力的ESD结构。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||