发明名称 |
电光装置和电子装置 |
摘要 |
本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中,多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且,电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度,以制成适合于电流流动的结构。此外,形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分,从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。 |
申请公布号 |
CN1577016A |
申请公布日期 |
2005.02.09 |
申请号 |
CN200410054429.5 |
申请日期 |
2000.06.03 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;小山润;山本一宇;小沼利光 |
分类号 |
G02F1/136;H01L29/786;H05B33/00 |
主分类号 |
G02F1/136 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张志醒 |
主权项 |
1.一种电致发光显示装置,包括:基片;和基片上的多个像素,每个像素包含:开关薄膜晶体管,电流控制薄膜晶体管,包含电连接到开关薄膜晶体管的栅极;以及电连接到电流控制薄膜晶体管的电致发光元件,其中开关薄膜晶体管包含一动态层,该动态层具有两个或更多的顺序连接的沟道区。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |