Verfahren zum Schützen eines Metallisierungsgebiets und Halbleiterstruktur mit mindestens einem Metallisierungsgebiet

摘要

Das Einschließen von Metallisierungsgebieten (22A, 22B, 22C) in ein Auskleidungsmaterial (20; 28A, 28B, 28C), das z. B. aus Tantal, Tantalnitrid, Titan, Titannitrid, Siliciumnitrid und Siliciumcarbid besteht, erlaubt es, aggressive oder raue Bearbeitungsschritte zu verwenden. Diese aggressiven Bearbeitungsschritte bieten die Möglichkeit der Herstellung neuer Bauteilearchitekturen. Außerdem können durch Einschließen der Metallisierungsgebiete die Wanderung von Metallionen und Elektromigration verhindert werden. Ferner können die eingeschlossenen Metallisierungsgebiete als Selbstausrichtungs-Ätzmaske eng zwischen benachbarten Bearbeitungsschritten eingeätzt werden, wodurch die solchen Durchführungen zugeordnete Substratfläche deutlich verringert werden kann, ohne dass die Wahrscheinlichkeit elektrischer Kurzschlüsse zu benachbarten Metallisierungsgebieten hin vergrößert wird.