Sensor-Transistor-Element, Sensor-Einheit und Sensor-Array

摘要

Ein Sensor-Transistor-Element enthält ein Substrat und eine auf und/oder in dem Substrat gebildete Gate-Elektrode, an welche ein elektrisches Aktiviersignal zum Aktivieren des Sensor-Transistor-Elements anlegbar ist. Ferner weist das Sensor-Transistor-Element eine Gate-isolierende Schicht auf der Gate-Elektrode und eine erste Source-/Drain-Elektrode und eine zweite Source-/Drain-Elektrode auf. Auf der Gate-isolierenden Schicht und über der Gate-Elektrode ist eine Kanal-Schicht zwischen der ersten Source-/Drain-Elektrode und der zweiten Source-/Drain-Elektrode gebildet, welche Kanal-Schicht aus Fängermolekülen gebildet ist, die derart eingerichtet sind, dass sie mit in einem Analyten möglicherweise enthaltenen zu erfassenden Partikeln hybridisieren und so die Leitfähigkeit im Kanal modifizieren.